창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS6912A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS6912A | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| 카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.1nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 575pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 900mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS6912ATR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS6912A | |
| 관련 링크 | FDS6, FDS6912A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | CL10C3R9CB8NNND | 3.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C3R9CB8NNND.pdf | |
![]() | RL73H2AR22FTD | RES SMD 0.22 OHM 1% 1/8W 0805 | RL73H2AR22FTD.pdf | |
![]() | IRKD260-12 | IRKD260-12 IR SMD or Through Hole | IRKD260-12.pdf | |
![]() | MC10H102FNG | MC10H102FNG ON PLCC20 | MC10H102FNG.pdf | |
![]() | VB-12SMBU-E | VB-12SMBU-E TAKAMISAWA SMD or Through Hole | VB-12SMBU-E.pdf | |
![]() | A8700CSFG-5GU6 | A8700CSFG-5GU6 TOSHIBA QFP | A8700CSFG-5GU6.pdf | |
![]() | FL410G | FL410G PANJIT SMD or Through Hole | FL410G.pdf | |
![]() | FI-W9P-HFE-E1500 | FI-W9P-HFE-E1500 JAE Connector | FI-W9P-HFE-E1500.pdf | |
![]() | MAX4613CEE+T | MAX4613CEE+T MAXIM QSOP16 | MAX4613CEE+T.pdf | |
![]() | GRH111X7R103K100 | GRH111X7R103K100 MURATA SMD | GRH111X7R103K100.pdf | |
![]() | SAA5264PS-M3-0104 | SAA5264PS-M3-0104 PHI DIP52 | SAA5264PS-M3-0104.pdf |