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Fairchild Semiconductor FDS6912

FDS6912
제조업체 부품 번호
FDS6912
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
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내부 부품 번호EIS-FDS6912
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDS6912
PCN 설계/사양Mold Compound 12/Dec/2007
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C6A
Rds On(최대) @ Id, Vgs28m옴 @ 6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs10nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds740pF @ 15V
전력 - 최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SO
표준 포장 2,500
다른 이름FDS6912-ND
FDS6912TR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)FDS6912
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