창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS6682 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS6682 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 14A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2310pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS6682-ND FDS6682TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS6682 | |
관련 링크 | FDS6, FDS6682 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SR075A471JARTR1 | 470pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR075A471JARTR1.pdf | |
![]() | RCS0603390RJNEA | RES SMD 390 OHM 5% 1/4W 0603 | RCS0603390RJNEA.pdf | |
![]() | CMF50220K00FKEB | RES 220K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50220K00FKEB.pdf | |
![]() | PMB6618RV1.2 | PMB6618RV1.2 LTNEAR TSSOP | PMB6618RV1.2.pdf | |
![]() | 917725-1 | 917725-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 917725-1.pdf | |
![]() | BGY944 | BGY944 PHI SMD | BGY944.pdf | |
![]() | ST7272N5B1/CT1 | ST7272N5B1/CT1 ST DIP-56 | ST7272N5B1/CT1.pdf | |
![]() | HMC830LP6GETR | HMC830LP6GETR HITTITE LP6 | HMC830LP6GETR.pdf | |
![]() | MMZ2012S102AT014 | MMZ2012S102AT014 TDK SMD or Through Hole | MMZ2012S102AT014.pdf | |
![]() | 1206AC222KATM | 1206AC222KATM AVX SMD or Through Hole | 1206AC222KATM.pdf | |
![]() | LM236AH-1.2 | LM236AH-1.2 ORIGINAL SMD or Through Hole | LM236AH-1.2.pdf | |
![]() | TC7SZ07FE | TC7SZ07FE TOSHIBA SMD | TC7SZ07FE.pdf |