창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS6681Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS6681Z SO 8L NB Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.6m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 260nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7540pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS6681Z-ND FDS6681ZTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS6681Z | |
관련 링크 | FDS6, FDS6681Z 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | DRC9114E0L | TRANS PREBIAS NPN 125MW SSMINI3 | DRC9114E0L.pdf | |
![]() | CMF60500R00JKBF | RES 500 OHM 1W 5% AXIAL | CMF60500R00JKBF.pdf | |
![]() | 1734098-6 | 1734098-6 TE/Tyco/AMP Connector | 1734098-6.pdf | |
![]() | TA31137FNG(EL) | TA31137FNG(EL) TOSHIBA SMD or Through Hole | TA31137FNG(EL).pdf | |
![]() | TA8851BN | TA8851BN TOSHIBA DIP-54 | TA8851BN.pdf | |
![]() | MC1408-80 | MC1408-80 MOT SOP16 | MC1408-80.pdf | |
![]() | SPM0206HE3-SB | SPM0206HE3-SB KNOWLES SOP-16 | SPM0206HE3-SB.pdf | |
![]() | DFC2R927P002HHA-TA2110 | DFC2R927P002HHA-TA2110 MURATA SMD or Through Hole | DFC2R927P002HHA-TA2110.pdf | |
![]() | CB-2016T470M-K | CB-2016T470M-K KEMET SMD | CB-2016T470M-K.pdf | |
![]() | KBPM 8421 | KBPM 8421 OMRON/ SMD or Through Hole | KBPM 8421.pdf |