창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS6680AS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS6680AS | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench®, SyncFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10m옴 @ 11.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1240pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS6680AS-ND FDS6680ASTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS6680AS | |
| 관련 링크 | FDS66, FDS6680AS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | B32529C8103J | 10000pF Film Capacitor 400V 630V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.295" L x 0.197" W (7.50mm x 5.00mm) | B32529C8103J.pdf | |
![]() | XC2S200E-6FT256I | XC2S200E-6FT256I XILINX SMD or Through Hole | XC2S200E-6FT256I.pdf | |
![]() | SF1010FC | SF1010FC MDD ITO-220AB | SF1010FC.pdf | |
![]() | FH35-51S-0.3SHW(50) | FH35-51S-0.3SHW(50) HRS SMD or Through Hole | FH35-51S-0.3SHW(50).pdf | |
![]() | T7S0107504JB | T7S0107504JB PRX MODULE | T7S0107504JB.pdf | |
![]() | AXT424124// 24PIN 0.4M | AXT424124// 24PIN 0.4M ORIGINAL SMD or Through Hole | AXT424124// 24PIN 0.4M.pdf | |
![]() | AS1084S3/3.3TR-LF | AS1084S3/3.3TR-LF AISEMI TO263-3 | AS1084S3/3.3TR-LF.pdf | |
![]() | A01209P20DA | A01209P20DA ML SOP-16 | A01209P20DA.pdf | |
![]() | SAT-987CQ8T | SAT-987CQ8T ORIGINAL 8D28 | SAT-987CQ8T.pdf |