창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS6676AS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS6676AS | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench®, SyncFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 14.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2510pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS6676AS-ND FDS6676ASTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS6676AS | |
| 관련 링크 | FDS66, FDS6676AS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | TR/1608FF-375mA | TR/1608FF-375mA Bussmann SMD or Through Hole | TR/1608FF-375mA.pdf | |
![]() | BCR1335 | BCR1335 MOT SMD or Through Hole | BCR1335.pdf | |
![]() | TCTAL0G227M8R-D/4V 220UF | TCTAL0G227M8R-D/4V 220UF ROHM SOT-1206 | TCTAL0G227M8R-D/4V 220UF.pdf | |
![]() | PMB7720HV1.4111ICM | PMB7720HV1.4111ICM INFINEON TQFP | PMB7720HV1.4111ICM.pdf | |
![]() | B564-2 | B564-2 CRYDOM MODULE | B564-2.pdf |