창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS6673BZ_F085 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS6673BZ_F085 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.8m옴 @ 14.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 124nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS6673BZ_F085-ND FDS6673BZ_F085TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS6673BZ_F085 | |
| 관련 링크 | FDS6673B, FDS6673BZ_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | AQ147M160FAJBE | 16pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147M160FAJBE.pdf | |
![]() | CP000345R00JB14 | RES 45 OHM 3W 5% AXIAL | CP000345R00JB14.pdf | |
![]() | G4BTB5K | G4BTB5K TOCOS 5X5-5K | G4BTB5K.pdf | |
![]() | TPHA06-104144-20A | TPHA06-104144-20A ORIGINAL CONNECTOR | TPHA06-104144-20A.pdf | |
![]() | HC1L1N | HC1L1N NEC SOT89 | HC1L1N.pdf | |
![]() | DP1283C433 | DP1283C433 semtech SMD or Through Hole | DP1283C433.pdf | |
![]() | SC4620812 | SC4620812 SILAN SOT23-5 | SC4620812.pdf | |
![]() | 7C4285A/MC | 7C4285A/MC ORIGINAL SMD or Through Hole | 7C4285A/MC.pdf | |
![]() | QM8085ADI | QM8085ADI N/A N A | QM8085ADI.pdf | |
![]() | CDRH5D14NP-3R9NB | CDRH5D14NP-3R9NB sumida SMD or Through Hole | CDRH5D14NP-3R9NB.pdf |