창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS6673BZ_F085 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS6673BZ_F085 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.8m옴 @ 14.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 124nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS6673BZ_F085-ND FDS6673BZ_F085TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS6673BZ_F085 | |
| 관련 링크 | FDS6673B, FDS6673BZ_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
| CMHZ5267B TR | DIODE ZENER 75V 250MW SOD123 | CMHZ5267B TR.pdf | ||
![]() | TXS2SS-L2-6V-Z | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | TXS2SS-L2-6V-Z.pdf | |
![]() | ESR18EZPF1023 | RES SMD 102K OHM 1% 1/3W 1206 | ESR18EZPF1023.pdf | |
![]() | LV23401V-N-TLM-H | RF IC Tuner AM, FM 76MHz ~ 108MHz 30-SSOP | LV23401V-N-TLM-H.pdf | |
![]() | 15085-001MUSAC-R | 15085-001MUSAC-R AMI PLCC44P | 15085-001MUSAC-R.pdf | |
![]() | 1N4933G-1N4937G | 1N4933G-1N4937G DIODES DO-41 | 1N4933G-1N4937G.pdf | |
![]() | VG12TM | VG12TM TAKAMISA SMD or Through Hole | VG12TM.pdf | |
![]() | 2593932 | 2593932 COTO SMD or Through Hole | 2593932.pdf | |
![]() | EC04-1206QBC/E | EC04-1206QBC/E MOKSAN SMD or Through Hole | EC04-1206QBC/E.pdf | |
![]() | NEC4370214 | NEC4370214 NEC BGA | NEC4370214.pdf | |
![]() | JIP0082ASI | JIP0082ASI ORIGINAL ZIP | JIP0082ASI.pdf | |
![]() | PM5374FI | PM5374FI PMC BGA | PM5374FI.pdf |