창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS6612A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS6612A | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| 카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 8.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.6nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 560pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS6612ATR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS6612A | |
| 관련 링크 | FDS6, FDS6612A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | RT1210BRD074K99L | RES SMD 4.99K OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD074K99L.pdf | |
![]() | TPSD336M025S0300 | TPSD336M025S0300 AVX SMD or Through Hole | TPSD336M025S0300.pdf | |
![]() | CMSH5-20TR13 | CMSH5-20TR13 Centralsemi SMC | CMSH5-20TR13.pdf | |
![]() | MT56ADC16S | MT56ADC16S MOTOROLA DIP | MT56ADC16S.pdf | |
![]() | RC0805JR-0768RL 0805 68R | RC0805JR-0768RL 0805 68R ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0805JR-0768RL 0805 68R.pdf | |
![]() | 3EZ8.7 | 3EZ8.7 ORIGINAL DO-15 | 3EZ8.7.pdf | |
![]() | OZ99101SN | OZ99101SN SSOP SMD or Through Hole | OZ99101SN.pdf | |
![]() | DRH3D16-3R3NC | DRH3D16-3R3NC SUMIDA SMD or Through Hole | DRH3D16-3R3NC.pdf | |
![]() | CD134BHDC-LSI | CD134BHDC-LSI IWATSU QFP | CD134BHDC-LSI.pdf |