창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS6574A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS6574A | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1598 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 16A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7657pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS6574A-ND FDS6574ATR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS6574A | |
관련 링크 | FDS6, FDS6574A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | UUD1C270MCL1GS | 27µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | UUD1C270MCL1GS.pdf | |
![]() | 50RX50220MEFC12.5X20 | 220µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 150°C | 50RX50220MEFC12.5X20.pdf | |
![]() | NTCCS2012NH103KCTH1 | NTCCS2012NH103KCTH1 TDK SMD or Through Hole | NTCCS2012NH103KCTH1.pdf | |
![]() | EQUIPT009FA01 | EQUIPT009FA01 AD PLCC28 | EQUIPT009FA01.pdf | |
![]() | ST4054 | ST4054 ORIGINAL SOT23-5 | ST4054.pdf | |
![]() | AD9967BCPZ | AD9967BCPZ ADI SMD or Through Hole | AD9967BCPZ.pdf | |
![]() | DSS9HB32E101Q55B | DSS9HB32E101Q55B muRata SMD or Through Hole | DSS9HB32E101Q55B.pdf | |
![]() | 1383GD/T2-A | 1383GD/T2-A EVERLIGHT 2010 | 1383GD/T2-A.pdf | |
![]() | GS2615L | GS2615L GS-POWER SOT-153 | GS2615L.pdf | |
![]() | capacity 102 | capacity 102 SAMSUNG SMD or Through Hole | capacity 102.pdf | |
![]() | NS2R-145ABL | NS2R-145ABL NENSHI SMD or Through Hole | NS2R-145ABL.pdf |