창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS4675 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS4675 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1598 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4350pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 1.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS4675-ND FDS4675TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS4675 | |
관련 링크 | FDS4, FDS4675 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | ADS125IU | ADS125IU BB SMD or Through Hole | ADS125IU.pdf | |
![]() | LLL185R71C223MA11D | LLL185R71C223MA11D MURATA SMD | LLL185R71C223MA11D.pdf | |
![]() | TCSCS1E685KCCR | TCSCS1E685KCCR SAMSUNGEM Call | TCSCS1E685KCCR.pdf | |
![]() | CBA321609-4U-301T | CBA321609-4U-301T ORIGINAL SMD | CBA321609-4U-301T.pdf | |
![]() | PC2423K-10 | PC2423K-10 FOX SMD or Through Hole | PC2423K-10.pdf | |
![]() | D217A | D217A INFINEON SOP | D217A.pdf | |
![]() | VC-TCXO-201CP | VC-TCXO-201CP KENSEKI SMD or Through Hole | VC-TCXO-201CP.pdf |