창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS4435BZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS4435BZ | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1598 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 20m옴 @ 8.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1845pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS4435BZTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS4435BZ | |
| 관련 링크 | FDS44, FDS4435BZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | SARB | SARB ORIGINAL BGA10 | SARB.pdf | |
![]() | 100PA | 100PA ZYGD SMD or Through Hole | 100PA.pdf | |
![]() | 2.2nf 2000v 1812 | 2.2nf 2000v 1812 HEC SMD or Through Hole | 2.2nf 2000v 1812.pdf | |
![]() | 1634B4 | 1634B4 LINEAR SMD or Through Hole | 1634B4.pdf | |
![]() | M5M4V16100BTP-6 | M5M4V16100BTP-6 MIT SMD or Through Hole | M5M4V16100BTP-6.pdf | |
![]() | SMS-3361CSR | SMS-3361CSR ORIGINAL SMD or Through Hole | SMS-3361CSR.pdf | |
![]() | 49MC335C025M0ASF1 | 49MC335C025M0ASF1 PHILIPS SMD or Through Hole | 49MC335C025M0ASF1.pdf | |
![]() | D36B32.7680NNS | D36B32.7680NNS ORIGINAL SMD | D36B32.7680NNS.pdf | |
![]() | MC78PC32NTR | MC78PC32NTR ORIGINAL SOT-23-5 | MC78PC32NTR.pdf | |
![]() | SE754 | SE754 D QFP | SE754.pdf | |
![]() | MCB2012S070KBP | MCB2012S070KBP INPAQ SMD | MCB2012S070KBP.pdf | |
![]() | ERA50 | ERA50 MINI SMT84 | ERA50.pdf |