창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS3580 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS3580 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 7.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS3580-ND FDS3580FSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS3580 | |
관련 링크 | FDS3, FDS3580 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 08051K1R5CAWTR | 1.5pF Thin Film Capacitor 100V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08051K1R5CAWTR.pdf | |
![]() | 511BCA100M000BAG | 100MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 23mA Enable/Disable | 511BCA100M000BAG.pdf | |
![]() | TUW5J200E | RES 200 OHM 5W 5% AXIAL | TUW5J200E.pdf | |
![]() | Y00625K88000T0L | RES 5.88K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00625K88000T0L.pdf | |
![]() | CW1008-R10J | CW1008-R10J MATSUTA SMD or Through Hole | CW1008-R10J.pdf | |
![]() | M5M8050L-575P | M5M8050L-575P MITS SMD or Through Hole | M5M8050L-575P.pdf | |
![]() | UST8037A5434-0158 | UST8037A5434-0158 ORIGINAL DIP | UST8037A5434-0158.pdf | |
![]() | 0806-5400-04-F | 0806-5400-04-F BEL DIP | 0806-5400-04-F.pdf | |
![]() | ARGB1311GSE-10-TR | ARGB1311GSE-10-TR STANLEY SMD | ARGB1311GSE-10-TR.pdf | |
![]() | J-105XD | J-105XD U SIP | J-105XD.pdf |