창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDS2582 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDS2582 | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 66m옴 @ 4.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1290pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | FDS2582-ND FDS2582TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDS2582 | |
| 관련 링크 | FDS2, FDS2582 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | LPC2378FBD144C | LPC2378FBD144C NXP TQFP | LPC2378FBD144C.pdf | |
![]() | 35R62125CG | 35R62125CG ORIGINAL SMD or Through Hole | 35R62125CG.pdf | |
![]() | 1C25Z5U333M100B | 1C25Z5U333M100B VISHAY DIP | 1C25Z5U333M100B.pdf | |
![]() | KPTB1615YSGC | KPTB1615YSGC ORIGINAL LED | KPTB1615YSGC.pdf | |
![]() | SB1620 | SB1620 ORIGINAL TO220 | SB1620.pdf | |
![]() | MC68HC908QT2CDWE | MC68HC908QT2CDWE ORIGINAL SMD or Through Hole | MC68HC908QT2CDWE.pdf | |
![]() | 8D0L11J35SN | 8D0L11J35SN FCI SMD or Through Hole | 8D0L11J35SN.pdf | |
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![]() | FH26-31S-0.3SHBW | FH26-31S-0.3SHBW HIROSE SMD or Through Hole | FH26-31S-0.3SHBW.pdf | |
![]() | 948-HSY-2D-002-300E | 948-HSY-2D-002-300E HONEYWELL SMD or Through Hole | 948-HSY-2D-002-300E.pdf | |
![]() | MKP3-682J630DC | MKP3-682J630DC WIMA SMD or Through Hole | MKP3-682J630DC.pdf | |
![]() | 3386W (R) | 3386W (R) BOURNS SMD or Through Hole | 3386W (R).pdf |