창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDS2572 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDS2572 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
카탈로그 페이지 | 1599 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UltraFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 47m옴 @ 4.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2050pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOIC | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | FDS2572TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDS2572 | |
관련 링크 | FDS2, FDS2572 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
SP1210R-154J | 150µH Shielded Wirewound Inductor 124mA 13.5 Ohm Max Nonstandard | SP1210R-154J.pdf | ||
CRGH0603F18K2 | RES SMD 18.2K OHM 1% 1/5W 0603 | CRGH0603F18K2.pdf | ||
TNPW1210160KBETA | RES SMD 160K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW1210160KBETA.pdf | ||
PA3P06 | PA3P06 F TSSOP-24 | PA3P06.pdf | ||
WD1A226M05011 | WD1A226M05011 SAMWH DIP | WD1A226M05011.pdf | ||
BL-BD341E | BL-BD341E BRIGHT ROHS | BL-BD341E.pdf | ||
X9400WV | X9400WV ISL SOP | X9400WV.pdf | ||
MRF2006R2 | MRF2006R2 ORIGINAL SOP | MRF2006R2.pdf | ||
CD8444 | CD8444 ORIGINAL SMD or Through Hole | CD8444.pdf | ||
49/SS18.000MHZ | 49/SS18.000MHZ nsk SMD or Through Hole | 49/SS18.000MHZ.pdf | ||
CM7R-022 | CM7R-022 PLA SMD | CM7R-022.pdf | ||
3SF21S | 3SF21S SAPR DIP5 | 3SF21S.pdf |