창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDPF8N60ZUT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDP(F)8N60ZU(T) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.35옴 @ 3.25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1265pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 34.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDPF8N60ZUT | |
관련 링크 | FDPF8N, FDPF8N60ZUT 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MAL211671109E3 | 10µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | MAL211671109E3.pdf | |
![]() | PD57006STR-E | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | PD57006STR-E.pdf | |
![]() | 120257-HMC613LC4B | EVAL BOARD HMC613LC4B | 120257-HMC613LC4B.pdf | |
![]() | BRI12F | BRI12F ORIGINAL DIP-6 | BRI12F.pdf | |
![]() | LK30(LK115D30) | LK30(LK115D30) ORIGINAL IC | LK30(LK115D30).pdf | |
![]() | ICS93714AF | ICS93714AF ICS SSOP-48P | ICS93714AF.pdf | |
![]() | PST7028 | PST7028 ORIGINAL TO-92 | PST7028.pdf | |
![]() | 47UH-12.8*12.8*8-20%-B82477G4473M | 47UH-12.8*12.8*8-20%-B82477G4473M EPCOS SMD or Through Hole | 47UH-12.8*12.8*8-20%-B82477G4473M.pdf | |
![]() | AM79Q061JI | AM79Q061JI AMD PLCC | AM79Q061JI.pdf | |
![]() | RNV99103/17 | RNV99103/17 ERICSSON SMD or Through Hole | RNV99103/17.pdf | |
![]() | 1980-02-01 | 29252 ORIGINAL ORIGINAL | 1980-02-01.pdf | |
![]() | LT1167CS8 | LT1167CS8 ORIGINAL CS8 | LT1167CS8 .pdf |