창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDPF8N50NZU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDP(F)8N50NZU | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1603 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET-II™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 735pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDPF8N50NZU | |
관련 링크 | FDPF8N, FDPF8N50NZU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
C1206C222JCRACTU | 2200pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C222JCRACTU.pdf | ||
0230.375MXSP | FUSE GLASS 375MA 250VAC 125VDC | 0230.375MXSP.pdf | ||
DDZ30DQ-7 | DIODE ZENER SOD123 | DDZ30DQ-7.pdf | ||
ERG-2SJ201A | RES 200 OHM 2W 5% AXIAL | ERG-2SJ201A.pdf | ||
PX2AN1XX150PAAAX | Pressure Sensor 150 PSI (1034.21 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | PX2AN1XX150PAAAX.pdf | ||
RA252 | RA252 MCC/GOOD-ARK RA() | RA252.pdf | ||
M63802GPDB1J | M63802GPDB1J MITSUBISHI SMD or Through Hole | M63802GPDB1J.pdf | ||
EF4093 | EF4093 NXP SOP | EF4093.pdf | ||
29LV004T-12 | 29LV004T-12 ORIGINAL QFN | 29LV004T-12.pdf | ||
2SC3000F | 2SC3000F SANYO SMD or Through Hole | 2SC3000F.pdf | ||
M74LVQ574 | M74LVQ574 ST SO-20 | M74LVQ574.pdf | ||
LM322DR | LM322DR TI SMD or Through Hole | LM322DR.pdf |