창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDPF8N50NZU | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDP(F)8N50NZU | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1603 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET-II™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 735pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDPF8N50NZU | |
관련 링크 | FDPF8N, FDPF8N50NZU 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CBT50J2M2 | RES 2.20M OHM 1/2W 5% AXIAL | CBT50J2M2.pdf | |
![]() | CP000216R50JB14 | RES 16.5 OHM 2W 5% AXIAL | CP000216R50JB14.pdf | |
![]() | FSX56LP | FSX56LP FUJITSU cross | FSX56LP.pdf | |
![]() | IPS6044G | IPS6044G IR SOP | IPS6044G.pdf | |
![]() | P4NK602FP | P4NK602FP ST TO220 | P4NK602FP.pdf | |
![]() | US1G-7 | US1G-7 VISHAY DO-214 SMA | US1G-7.pdf | |
![]() | KPT081M31 | KPT081M31 KYOSEMI DIP2DIP18TO | KPT081M31.pdf | |
![]() | 39VF200-70-4C-EK | 39VF200-70-4C-EK N/A N A | 39VF200-70-4C-EK.pdf | |
![]() | LM6134N | LM6134N NS DIP | LM6134N.pdf | |
![]() | FM1501-7R | FM1501-7R ORIGINAL SMD or Through Hole | FM1501-7R.pdf |