창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDPF20N50 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDP20N50, FDPF20N50 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 230m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3120pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 38.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDPF20N50 | |
| 관련 링크 | FDPF2, FDPF20N50 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RCS040230K0JNED | RES SMD 30K OHM 5% 1/5W 0402 | RCS040230K0JNED.pdf | |
![]() | SFR16S0001219FR500 | RES 12.1 OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0001219FR500.pdf | |
![]() | MBA02040C3093FCT00 | RES 309K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C3093FCT00.pdf | |
![]() | LC662204 | LC662204 ORIGINAL DIP | LC662204.pdf | |
![]() | AD8610BRM | AD8610BRM AD MSOP | AD8610BRM.pdf | |
![]() | L931FPB | L931FPB ORIGINAL SMD8 | L931FPB.pdf | |
![]() | 2SD786Q | 2SD786Q ROHM TO-92S | 2SD786Q.pdf | |
![]() | 213-052-602(TR) | 213-052-602(TR) METHODE SMD or Through Hole | 213-052-602(TR).pdf | |
![]() | IRF7854TR | IRF7854TR IR SOP | IRF7854TR.pdf | |
![]() | S74ACT11000N | S74ACT11000N TI DIP | S74ACT11000N.pdf | |
![]() | CN1610-350BG23-PR-G | CN1610-350BG23-PR-G CAVIUM BGA | CN1610-350BG23-PR-G.pdf | |
![]() | 2SC5138 | 2SC5138 RENESAS SOT-423 | 2SC5138.pdf |