창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDPF12N50T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDP12N50, FDPF12N50 | |
| 카탈로그 페이지 | 1603 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1315pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 42W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDPF12N50T | |
| 관련 링크 | FDPF12, FDPF12N50T 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ECJ-2FF1A106Z | 10µF 10V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ECJ-2FF1A106Z.pdf | |
![]() | 445I32G24M00000 | 24MHz ±30ppm 수정 30pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32G24M00000.pdf | |
![]() | SIT9002AI-03N18EO | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | SIT9002AI-03N18EO.pdf | |
![]() | IPA65R190E6 | IPA65R190E6 Infineontechnologies SMD or Through Hole | IPA65R190E6.pdf | |
![]() | DAC7744E B | DAC7744E B BB SSOP48 | DAC7744E B.pdf | |
![]() | 29F800DTA-70 | 29F800DTA-70 MALAYSIA SMD or Through Hole | 29F800DTA-70.pdf | |
![]() | HY5DU561620FTP-D43 | HY5DU561620FTP-D43 HYNIX TSSOP60 | HY5DU561620FTP-D43.pdf | |
![]() | BW7730 | BW7730 JVC SMD or Through Hole | BW7730.pdf | |
![]() | MN51015LVE | MN51015LVE ORIGINAL QFP | MN51015LVE.pdf | |
![]() | ROD-100V331M | ROD-100V331M ELNA DIP | ROD-100V331M.pdf |