창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDPF041N06BL1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDPF041N06BL1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 77A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 77A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5690pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 44.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220F | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDPF041N06BL1 | |
관련 링크 | FDPF041, FDPF041N06BL1 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
ECJ-GVB1E225K | 2.2µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ECJ-GVB1E225K.pdf | ||
SRR1280-560Y | 56µH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 100 mOhm Max Nonstandard | SRR1280-560Y.pdf | ||
HE722A1250 | Reed Relay DPST (2 Form A) Through Hole | HE722A1250.pdf | ||
CSRN2512JKR400 | RES SMD 0.4 OHM 5% 2W 2512 | CSRN2512JKR400.pdf | ||
TIM7177-8C | TIM7177-8C TOSHIBA SMD or Through Hole | TIM7177-8C.pdf | ||
105 50V B | 105 50V B avetron SMD or Through Hole | 105 50V B.pdf | ||
LM317HVT+ | LM317HVT+ NSC SMD or Through Hole | LM317HVT+.pdf | ||
GLZ7.5A-TG | GLZ7.5A-TG WILLAS LL34 | GLZ7.5A-TG.pdf | ||
ADR526CDRG4-REEL7 | ADR526CDRG4-REEL7 AD Original | ADR526CDRG4-REEL7.pdf | ||
MTP15N06VL | MTP15N06VL ON TO-220 | MTP15N06VL .pdf | ||
LA N91E-DBFB-24-1 | LA N91E-DBFB-24-1 OSRAM LED | LA N91E-DBFB-24-1.pdf | ||
K6F2016U4D-FF70TMT | K6F2016U4D-FF70TMT SAMSUNG SMD or Through Hole | K6F2016U4D-FF70TMT.pdf |