창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDPC8014S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDPC8014S | |
| PCN 설계/사양 | Wire Bond/Assembly Site Add 24/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(이중) 비대칭 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A, 41A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2375pF @ 13V | |
| 전력 - 최대 | 2.1W, 2.3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDPC8014STR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDPC8014S | |
| 관련 링크 | FDPC8, FDPC8014S 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ECQ-E2564JF | 0.56µF Film Capacitor 250V Polyester, Metallized Radial 0.728" L x 0.217" W (18.50mm x 5.50mm) | ECQ-E2564JF.pdf | |
![]() | RT0402BRE078K25L | RES SMD 8.25KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE078K25L.pdf | |
![]() | EKMB1301112 | SENSOR MOTION PIR DIGITAL BLACK | EKMB1301112.pdf | |
![]() | NTH5G16P42B104J07TH | NTH5G16P42B104J07TH MURATA SMD or Through Hole | NTH5G16P42B104J07TH.pdf | |
![]() | LD27C512-150V10 | LD27C512-150V10 ORIGINAL SMD or Through Hole | LD27C512-150V10.pdf | |
![]() | LTC984-1CG-ES#TRPBF | LTC984-1CG-ES#TRPBF LT QSOP | LTC984-1CG-ES#TRPBF.pdf | |
![]() | MQE001-964-T1 | MQE001-964-T1 MURATA STOCK | MQE001-964-T1.pdf | |
![]() | OV2630-AIAV | OV2630-AIAV OV BGA | OV2630-AIAV.pdf | |
![]() | CA3102E2427SBF80 | CA3102E2427SBF80 ITTCANNON SMD or Through Hole | CA3102E2427SBF80.pdf | |
![]() | G6SK | G6SK IR SOT163 | G6SK.pdf | |
![]() | CDH5D18N-180M | CDH5D18N-180M MEC SMD | CDH5D18N-180M.pdf |