창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDP8N50NZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDP(F)8N50NZ(T) TO220B03 Pkg Drawing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 18nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 735pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 130W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDP8N50NZ | |
| 관련 링크 | FDP8N, FDP8N50NZ 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1N4148WF | 1N4148WF LITEON SOD-123F | 1N4148WF.pdf | |
![]() | 263005 | 263005 LTF SMD or Through Hole | 263005.pdf | |
![]() | E5J88-00LJG5-L | E5J88-00LJG5-L PLUSE SMD or Through Hole | E5J88-00LJG5-L.pdf | |
![]() | M63806FP-200C | M63806FP-200C RENESAS SMD or Through Hole | M63806FP-200C.pdf | |
![]() | 54LS4O/BCBJC | 54LS4O/BCBJC TI CDIP | 54LS4O/BCBJC.pdf | |
![]() | 7215B068 QK22 | 7215B068 QK22 INTEL CPU | 7215B068 QK22.pdf | |
![]() | 25MC106MDTERM1 | 25MC106MDTERM1 MURATA D case | 25MC106MDTERM1.pdf | |
![]() | VJ12PA0160KBA | VJ12PA0160KBA AVX SMD | VJ12PA0160KBA.pdf | |
![]() | BF910N40 | BF910N40 N/A TO-263 | BF910N40.pdf | |
![]() | WD10-12S15 | WD10-12S15 MAX SMD or Through Hole | WD10-12S15.pdf | |
![]() | GRM31MB11E105KA01B | GRM31MB11E105KA01B MURATA SMD or Through Hole | GRM31MB11E105KA01B.pdf | |
![]() | RFVC1839SR | RFVC1839SR ORIGINAL SMD or Through Hole | RFVC1839SR.pdf |