창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP7N50 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TO220B03 Pkg Drawing FDP7N50 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16.6nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 940pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 89W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP7N50 | |
관련 링크 | FDP7, FDP7N50 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CL31C470JJHNNNE | 47pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CL31C470JJHNNNE.pdf | |
![]() | 416F48033ASR | 48MHz ±30ppm 수정 시리즈 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48033ASR.pdf | |
![]() | APTM50H15FT1G | MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1 | APTM50H15FT1G.pdf | |
![]() | D2F-L | D2F-L OMRON SMD or Through Hole | D2F-L.pdf | |
![]() | GP2A223HRKA | GP2A223HRKA SHARP SMD or Through Hole | GP2A223HRKA.pdf | |
![]() | PSD913F2-70M | PSD913F2-70M WSI MQFP52 | PSD913F2-70M.pdf | |
![]() | 2089-6408-00 | 2089-6408-00 MA/COM SMD or Through Hole | 2089-6408-00.pdf | |
![]() | MT45W1MW16BDGB-708 | MT45W1MW16BDGB-708 Micron BGA | MT45W1MW16BDGB-708.pdf | |
![]() | PM6610CD90-V4770-1 | PM6610CD90-V4770-1 QUALCOMM QFN | PM6610CD90-V4770-1.pdf | |
![]() | LAL02TBR68K | LAL02TBR68K TAIYO DIP | LAL02TBR68K.pdf | |
![]() | CD74HC75PWR | CD74HC75PWR TI TSSOP-16 | CD74HC75PWR.pdf | |
![]() | MPSH69 | MPSH69 ORIGINAL TO-92 | MPSH69.pdf |