창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP75N08A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDP75N08 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Description Chg 15/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 37.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4468pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 137W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP75N08A | |
관련 링크 | FDP75, FDP75N08A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | IRFS4010TRRPBF | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | IRFS4010TRRPBF.pdf | |
![]() | PTN1206E7502BST1 | RES SMD 75K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E7502BST1.pdf | |
![]() | SL-CH20 | 2-CH I/O UNIT (NPN) | SL-CH20.pdf | |
![]() | XR2011CN | XR2011CN EXAR DIP | XR2011CN.pdf | |
![]() | 1117-1.2/LM1117-1.8V/3.3V | 1117-1.2/LM1117-1.8V/3.3V AMS/NS SOT-223 | 1117-1.2/LM1117-1.8V/3.3V.pdf | |
![]() | 1206J10R | 1206J10R CHIP SMD1206 | 1206J10R.pdf | |
![]() | 74LVTH16835MTD | 74LVTH16835MTD FAIRCHILD SMD or Through Hole | 74LVTH16835MTD.pdf |