창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDP6670AS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | FDP6670AS | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | FDP6670AS | |
| 관련 링크 | FDP66, FDP6670AS 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 425F11A026M0000 | 26MHz ±10ppm 수정 10pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 425F11A026M0000.pdf | |
![]() | 406I35E24M00000 | 24MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 406I35E24M00000.pdf | |
![]() | CRCW06033R57FNEA | RES SMD 3.57 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06033R57FNEA.pdf | |
![]() | IDT70V658S12DRI | IDT70V658S12DRI IDT QFP208 | IDT70V658S12DRI.pdf | |
![]() | PC356N2T | PC356N2T SOP SHARP | PC356N2T.pdf | |
![]() | 2570-1YM | 2570-1YM MICREL SOI8 | 2570-1YM.pdf | |
![]() | AME5248A-AEV100 | AME5248A-AEV100 AME SOT23-5 | AME5248A-AEV100.pdf | |
![]() | LTC1334INW | LTC1334INW LT SMD or Through Hole | LTC1334INW.pdf | |
![]() | 682J 1250V | 682J 1250V CBB SMD or Through Hole | 682J 1250V.pdf | |
![]() | MPX2010DP. | MPX2010DP. FREESCALESEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | MPX2010DP..pdf | |
![]() | ISL6614ACBZ* | ISL6614ACBZ* INTSRSIL SOIC-14 | ISL6614ACBZ*.pdf | |
![]() | NACZ100M50V6.3X6.3TR13F | NACZ100M50V6.3X6.3TR13F NICCOMP SMD | NACZ100M50V6.3X6.3TR13F.pdf |