창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP65N06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDP65N06 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 조립/원산지 | Description Chg 15/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 65A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 32.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2170pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 135W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP65N06 | |
관련 링크 | FDP6, FDP65N06 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | IXFT32N50 | MOSFET N-CH 500V 32A TO-268 | IXFT32N50.pdf | |
![]() | RG1005V-5230-P-T1 | RES SMD 523 OHM 0.02% 1/16W 0402 | RG1005V-5230-P-T1.pdf | |
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![]() | MDA970G3 | MDA970G3 Rectron RS-4L | MDA970G3.pdf | |
![]() | MP1-L-0150-103-5%-ST | MP1-L-0150-103-5%-ST SpectraSymbol SMD or Through Hole | MP1-L-0150-103-5%-ST.pdf | |
![]() | CMD31101UG | CMD31101UG CML PB-FREE | CMD31101UG.pdf | |
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![]() | IX0407AWZZQ | IX0407AWZZQ SHARP TQFP | IX0407AWZZQ.pdf |