창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP6030BL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB6030BL, FDP6030BL TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1160pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP6030BL | |
관련 링크 | FDP60, FDP6030BL 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | E36D500LPN722UAA5M | 7200µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | E36D500LPN722UAA5M.pdf | |
![]() | FA16NP02A153JNU06 | 0.015µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.138" W(5.50mm x 3.50mm) | FA16NP02A153JNU06.pdf | |
![]() | DFEH12060D-2R2M=P3 | 2.2µH Shielded Inductor 16A 4.4 mOhm Max Nonstandard | DFEH12060D-2R2M=P3.pdf | |
![]() | RMCP2010JT620K | RES SMD 620K OHM 5% 1W 2010 | RMCP2010JT620K.pdf | |
![]() | N6407 | N6407 AO QFN8 | N6407.pdf | |
![]() | B39112-B8101-L100 | B39112-B8101-L100 SM SMD or Through Hole | B39112-B8101-L100.pdf | |
![]() | 25P32V6G8 | 25P32V6G8 ST SOP8 | 25P32V6G8.pdf | |
![]() | 100075-501 | 100075-501 ORIGINAL QFP | 100075-501.pdf | |
![]() | TSL2550-T | TSL2550-T TAOS TOP-SMD-4 | TSL2550-T.pdf | |
![]() | SiI9261 | SiI9261 silicon QFP | SiI9261.pdf | |
![]() | G2-DA03-ST | G2-DA03-ST COTO SMD8 | G2-DA03-ST.pdf | |
![]() | 21SX1-T | 21SX1-T Honeywell SMD or Through Hole | 21SX1-T.pdf |