창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDP6030BL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDB6030BL, FDP6030BL TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1160pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 60W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDP6030BL | |
| 관련 링크 | FDP60, FDP6030BL 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | UAL50-16RF8 | RES CHAS MNT 16 OHM 1% 50W | UAL50-16RF8.pdf | |
![]() | MMF003671 | CEA-06-062UM-120 RESIDUAL STRESS | MMF003671.pdf | |
![]() | B88069X0250S102 | B88069X0250S102 EPCOS SMD or Through Hole | B88069X0250S102.pdf | |
![]() | HS-101S | HS-101S KODENSHI SMD or Through Hole | HS-101S.pdf | |
![]() | 2S1380 | 2S1380 TOS TO3P | 2S1380.pdf | |
![]() | CPF261R900FE | CPF261R900FE ORIGINAL SMD or Through Hole | CPF261R900FE.pdf | |
![]() | AT28LV641B-20SC | AT28LV641B-20SC ATMEL SMD or Through Hole | AT28LV641B-20SC.pdf | |
![]() | LQG15HN6N8S02D | LQG15HN6N8S02D MURATA SMD or Through Hole | LQG15HN6N8S02D.pdf | |
![]() | MA741MJG | MA741MJG ORIGINAL SMD or Through Hole | MA741MJG.pdf | |
![]() | SF16-400V1A | SF16-400V1A N/A N A | SF16-400V1A.pdf | |
![]() | DIR6100-A | DIR6100-A DONGBAO DIP-2 | DIR6100-A.pdf |