창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP6030BL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB6030BL, FDP6030BL TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1160pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -65°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP6030BL | |
관련 링크 | FDP60, FDP6030BL 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MKP1841347404 | 0.047µF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | MKP1841347404.pdf | |
![]() | 445W32A27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 10pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W32A27M00000.pdf | |
![]() | 37316300810 | 37316300810 littelfuse SMD or Through Hole | 37316300810.pdf | |
![]() | TBA810CB | TBA810CB SGS DIP12 | TBA810CB.pdf | |
![]() | HA4315I/SS022 | HA4315I/SS022 MIT SSOP28 | HA4315I/SS022.pdf | |
![]() | VL6845R-23PC | VL6845R-23PC VLSI Z | VL6845R-23PC.pdf | |
![]() | 2AF-0001/3HPV06106 | 2AF-0001/3HPV06106 AGILENT BGA | 2AF-0001/3HPV06106.pdf | |
![]() | CS6707R | CS6707R CIRRUS SSOP | CS6707R.pdf | |
![]() | SMBJ48CA2 | SMBJ48CA2 VISHAY SMD or Through Hole | SMBJ48CA2.pdf | |
![]() | GS880E18AGT-133 | GS880E18AGT-133 GSI QFP | GS880E18AGT-133.pdf | |
![]() | CTD500GK-18 | CTD500GK-18 ORIGINAL SMD or Through Hole | CTD500GK-18.pdf | |
![]() | EM638165TS-6IG | EM638165TS-6IG ETRONTECH TSOP | EM638165TS-6IG.pdf |