창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP52N20 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDP52N20, FDPF52N20T TO220B03 Pkg Drawing | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 52A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 49m옴 @ 26A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 357W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP52N20 | |
관련 링크 | FDP5, FDP52N20 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RJK6006DPD-00#J2 | MOSFET N-CH 600V 5A MP3A | RJK6006DPD-00#J2.pdf | |
![]() | RT2512BKE071KL | RES SMD 1K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE071KL.pdf | |
![]() | GRM3161X1H1R5CD01D | GRM3161X1H1R5CD01D MURATA SMD | GRM3161X1H1R5CD01D.pdf | |
![]() | SPCA2001A | SPCA2001A SUNPLUS QFP | SPCA2001A.pdf | |
![]() | TC518512AF | TC518512AF TOSHIBA SOP32 | TC518512AF.pdf | |
![]() | FR1J-T3 | FR1J-T3 WTE SMB | FR1J-T3.pdf | |
![]() | DF13B-8P-1.25V(77) | DF13B-8P-1.25V(77) ORIGINAL SMD or Through Hole | DF13B-8P-1.25V(77).pdf | |
![]() | TA51787ACR4577TS | TA51787ACR4577TS HAR TA51787ACR4577TS | TA51787ACR4577TS.pdf | |
![]() | MA806 | MA806 MOSART TQFP | MA806.pdf | |
![]() | 20520-1-248 | 20520-1-248 MOT SMD or Through Hole | 20520-1-248.pdf | |
![]() | 420AXF68M25X20 | 420AXF68M25X20 Rubycon DIP-2 | 420AXF68M25X20.pdf | |
![]() | C1206X7R250-473KNE | C1206X7R250-473KNE ORIGINAL 1206 | C1206X7R250-473KNE.pdf |