창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP51N25 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDP51N25, FDPF51N25 TO220B03 Pkg Drawing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 28/Mar/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 Description Chg 15/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | UniFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 51A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 25.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 70nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3410pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 320W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP51N25 | |
관련 링크 | FDP5, FDP51N25 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
FA26C0G2A223JNU06 | 0.022µF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.138" W(5.50mm x 3.50mm) | FA26C0G2A223JNU06.pdf | ||
![]() | UPT10R/TR7 | TVS DIODE 10VWM 18VC POWERMITE | UPT10R/TR7.pdf | |
![]() | AT1206BRD0728K7L | RES SMD 28.7K OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD0728K7L.pdf | |
![]() | DIB7700C1. | DIB7700C1. DIBCOM BGA | DIB7700C1..pdf | |
![]() | 54126DMQB | 54126DMQB NSC CDIP | 54126DMQB.pdf | |
![]() | 1206F 5R10 | 1206F 5R10 ORIGINAL 1206 | 1206F 5R10.pdf | |
![]() | AS267D | AS267D ORIGINAL SOP | AS267D.pdf | |
![]() | DEK-GU10-1*3W | DEK-GU10-1*3W HS SMD or Through Hole | DEK-GU10-1*3W.pdf | |
![]() | VLP-20 | VLP-20 MINI SMD or Through Hole | VLP-20.pdf | |
![]() | 1008CW220JGT-A | 1008CW220JGT-A ORIGINAL SMD or Through Hole | 1008CW220JGT-A.pdf | |
![]() | 9-1437056-7 | 9-1437056-7 Tyco con | 9-1437056-7.pdf | |
![]() | PT2249AHM | PT2249AHM PT DIP | PT2249AHM.pdf |