창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP3652 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDB3652, FDP3652 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 61A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 61A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2880pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP3652 | |
관련 링크 | FDP3, FDP3652 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | DMT3004LPS-13 | MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 | DMT3004LPS-13.pdf | |
![]() | RCH110BNP-271K | 270µH Unshielded Wirewound Inductor 1.2A 360 mOhm Max Radial | RCH110BNP-271K.pdf | |
![]() | ERJ-1GNJ1R2C | RES SMD 1.2 OHM 5% 1/20W 0201 | ERJ-1GNJ1R2C.pdf | |
![]() | H51N | H51N H SOP8 | H51N.pdf | |
![]() | STI7710FUD/B2E | STI7710FUD/B2E ST BGA | STI7710FUD/B2E.pdf | |
![]() | 5000243081 | 5000243081 molex Connector | 5000243081.pdf | |
![]() | F614-17835 | F614-17835 TOP ZIP-12 | F614-17835.pdf | |
![]() | AT49F002NT-90PI | AT49F002NT-90PI ATMEL DIP32 | AT49F002NT-90PI.pdf | |
![]() | PSD05 | PSD05 PROTEK SMD or Through Hole | PSD05.pdf | |
![]() | LT236BI5S8 | LT236BI5S8 SOP SMD or Through Hole | LT236BI5S8.pdf |