창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP2614 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDP2614 TO220B03 Pkg Drawing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 62A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 27m옴 @ 31A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 99nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7230pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 260W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | FDP2614-ND FDP2614FS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP2614 | |
관련 링크 | FDP2, FDP2614 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
SMCJ20A | TVS DIODE 20VWM 32.4VC SMC | SMCJ20A.pdf | ||
7447789115 | 15µH Shielded Wirewound Inductor 1.51A 130 mOhm Max Nonstandard | 7447789115.pdf | ||
3-1423179-2 | RELAY TIME DELAY | 3-1423179-2.pdf | ||
CNX41F155Z-T | CNX41F155Z-T MURUWA SMD | CNX41F155Z-T.pdf | ||
TCB21U300N000A4 | TCB21U300N000A4 ORIGINAL SMD | TCB21U300N000A4.pdf | ||
STM809RWX6F TEL:82 | STM809RWX6F TEL:82 ST SOT23 | STM809RWX6F TEL:82.pdf | ||
MT48LC16M8A2TG-75IT:G | MT48LC16M8A2TG-75IT:G Micron SMD or Through Hole | MT48LC16M8A2TG-75IT:G.pdf | ||
DCX56 | DCX56 DIODES SOT89-3L | DCX56.pdf | ||
ZC408932CFN | ZC408932CFN MOT PLCC | ZC408932CFN.pdf | ||
HD64F2148TE20 | HD64F2148TE20 RENESAS QFP | HD64F2148TE20.pdf | ||
K94589-916 | K94589-916 N/A DIP | K94589-916.pdf | ||
63ME100CZ | 63ME100CZ SANYO DIP | 63ME100CZ.pdf |