창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDP16AN08A0 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDP16AN08A0 TO220B03 Pkg Drawing | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 58A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 58A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1857pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 135W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | FDP16AN08A0-ND FDP16AN08A0FS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDP16AN08A0 | |
| 관련 링크 | FDP16A, FDP16AN08A0 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CMF5568R100FKEB | RES 68.1 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5568R100FKEB.pdf | |
![]() | L6932D2.5TR-ST | L6932D2.5TR-ST ORIGINAL SMD or Through Hole | L6932D2.5TR-ST.pdf | |
![]() | PQ05DZ1U-1Y | PQ05DZ1U-1Y SHARP SMD or Through Hole | PQ05DZ1U-1Y.pdf | |
![]() | MN18982MJC5 | MN18982MJC5 ORIGINAL DIP | MN18982MJC5.pdf | |
![]() | CE1025 | CE1025 TDK SMD or Through Hole | CE1025.pdf | |
![]() | IPS06N03LA | IPS06N03LA Infineon SOT-223 | IPS06N03LA.pdf | |
![]() | K5L3316CAM-D770 | K5L3316CAM-D770 SAMSUNG ROHS | K5L3316CAM-D770.pdf | |
![]() | 24C081 | 24C081 ST SMD | 24C081.pdf | |
![]() | WS0J476M05007 | WS0J476M05007 SAMWHA SMD or Through Hole | WS0J476M05007.pdf | |
![]() | THGBM3G4D1FBAIG | THGBM3G4D1FBAIG TOSHIBA BGA | THGBM3G4D1FBAIG.pdf | |
![]() | L-1S7-M14.5T | L-1S7-M14.5T MITSUMI SMD or Through Hole | L-1S7-M14.5T.pdf | |
![]() | S-8353A33UA | S-8353A33UA SEIKO SOT-89 | S-8353A33UA.pdf |