창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDP15N40 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDP(F)15N40 TO220B03 Pkg Drawing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication 04/Feb/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | UniFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1750pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDP15N40 | |
| 관련 링크 | FDP1, FDP15N40 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MCR18EZHF3921 | RES SMD 3.92K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHF3921.pdf | |
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![]() | LKSH2562MESB | LKSH2562MESB NICHICON DIP | LKSH2562MESB.pdf | |
![]() | ERG1SJ39E | ERG1SJ39E PAN SMD or Through Hole | ERG1SJ39E.pdf | |
![]() | IVA05208 | IVA05208 SOP- SMD or Through Hole | IVA05208.pdf | |
![]() | 6N139TOS | 6N139TOS TOS DIP | 6N139TOS.pdf | |
![]() | HE2E477M30030HA180 | HE2E477M30030HA180 SAMWHA SMD or Through Hole | HE2E477M30030HA180.pdf | |
![]() | TLE528-6G | TLE528-6G TI SOP | TLE528-6G.pdf | |
![]() | LT3468ES5 | LT3468ES5 ORIGINAL CS5 | LT3468ES5 .pdf | |
![]() | 74LCS21A/P | 74LCS21A/P ORIGINAL DIP | 74LCS21A/P.pdf |