Fairchild Semiconductor FDP100N10

FDP100N10
제조업체 부품 번호
FDP100N10
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
데이터 시트 다운로드
다운로드
FDP100N10 가격 및 조달

가능 수량

8657 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 1,433.20300
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 FDP100N10 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FDP100N10 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FDP100N10가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
FDP100N10 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
FDP100N10 매개 변수
내부 부품 번호EIS-FDP100N10
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서FDP100N10
TO220B03 Pkg Drawing
PCN 설계/사양SOA curve 01/Jul/2013
카탈로그 페이지 1602 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열PowerTrench®
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C75A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs10m옴 @ 75A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs100nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7300pF @ 25V
전력 - 최대208W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220-3
표준 포장 50
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)FDP100N10
관련 링크FDP10, FDP100N10 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
FDP100N10 의 관련 제품
820µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C LGU2C821MELC.pdf
RES 0.11 OHM 6.5W 5% AXIAL CW005R1100JE12HS.pdf
TYPE4 SFTY LGHT CRTN AT 663MM SF4B-A16C.pdf
LT1790BIS6-3/BCS6-3 LT SOT23-6 LT1790BIS6-3/BCS6-3.pdf
SM525B1A MHz SOP SM525B1A.pdf
DF313 NEC TO-220 DF313.pdf
54641DMQB NS CDIP 54641DMQB.pdf
PA0365 POWERINT ZIP17 PA0365.pdf
S94324171(A23146-037-01) AMIS PLCC84 S94324171(A23146-037-01).pdf
LQM31FN100M00D MURATA SMD LQM31FN100M00D.pdf
RSX071VA-30 TR ROHM SOD-323 RSX071VA-30 TR.pdf
T2046 PHILIPS QFN32 T2046.pdf