창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP085N10A_F102 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDP085N10A_F102 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 96A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.5m옴 @ 96A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2695pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP085N10A_F102 | |
관련 링크 | FDP085N10, FDP085N10A_F102 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CGA4C4C0G2W121J060AA | 120pF 450V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4C4C0G2W121J060AA.pdf | |
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![]() | HK23F-12V-SHG | HK23F-12V-SHG ORIGINAL SMD or Through Hole | HK23F-12V-SHG.pdf | |
![]() | M34238FP | M34238FP RENESASMIT SOP20 | M34238FP.pdf | |
![]() | 747305-4 | 747305-4 TYCO SMD or Through Hole | 747305-4.pdf | |
![]() | M62519FP | M62519FP MIT SOP | M62519FP.pdf | |
![]() | E57AN95MS14BH | E57AN95MS14BH ST TQFP | E57AN95MS14BH.pdf | |
![]() | TA0224A | TA0224A TST SMD | TA0224A.pdf | |
![]() | CR10F2200WL | CR10F2200WL WALSIN SMD or Through Hole | CR10F2200WL.pdf | |
![]() | 28F020A | 28F020A ORIGINAL DIP | 28F020A.pdf |