창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDP083N15A_F102 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDP083N15A_F102 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 83A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.3m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6040pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 294W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | FDP083N15A_F102-ND FDP083N15AF102 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDP083N15A_F102 | |
| 관련 링크 | FDP083N15, FDP083N15A_F102 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-80-18-10 | 8MHz ±50ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | ECS-80-18-10.pdf | |
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![]() | 4308R-101-132 | RES ARRAY 7 RES 1.3K OHM 8SIP | 4308R-101-132.pdf | |
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![]() | pb4rot | pb4rot sks SMD or Through Hole | pb4rot.pdf | |
![]() | UDS5706H883 | UDS5706H883 SPRAGUE SMD or Through Hole | UDS5706H883.pdf | |
![]() | 10UF 25V 4X7 | 10UF 25V 4X7 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10UF 25V 4X7.pdf | |
![]() | 2222 638 33478 (1B N150 4.7PF 0.25% 100V) | 2222 638 33478 (1B N150 4.7PF 0.25% 100V) ORIGINAL SMD or Through Hole | 2222 638 33478 (1B N150 4.7PF 0.25% 100V).pdf | |
![]() | A0505S-1WR | A0505S-1WR MORNSUN SIP | A0505S-1WR.pdf | |
![]() | C0603JRNPO9BN181 | C0603JRNPO9BN181 ORIGINAL SMD or Through Hole | C0603JRNPO9BN181.pdf |