창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDP075N15A_F102 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDP075N15A_F102/FDB075N15A | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7350pF @ 75V | |
| 전력 - 최대 | 333W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDP075N15A_F102 | |
| 관련 링크 | FDP075N15, FDP075N15A_F102 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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| FQI13N50CTU | MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK | FQI13N50CTU.pdf | ||
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![]() | D1F-S | D1F-S ORIGINAL SMD or Through Hole | D1F-S.pdf | |
![]() | ADG201AB0 | ADG201AB0 AD CDIP-16 | ADG201AB0.pdf | |
![]() | IPS09N03LBG | IPS09N03LBG INFINEON IPAKSL(TO-251SL) | IPS09N03LBG.pdf |