창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP047AN08A0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FD(P/I/H)047AN08A0 TO220B03 Pkg Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1600 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 138nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 310W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | FDP047AN08A0-ND FDP047AN08A0FS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP047AN08A0 | |
관련 링크 | FDP047A, FDP047AN08A0 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | LB2518T330M | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 95mA 700 mOhm 1007 (2518 Metric) | LB2518T330M.pdf | |
![]() | TRR03EZPJ825 | RES SMD 8.2M OHM 5% 1/10W 0603 | TRR03EZPJ825.pdf | |
![]() | UPG2312T5B | UPG2312T5B NEC QFN | UPG2312T5B.pdf | |
![]() | LM237KCSE3 | LM237KCSE3 TI TO220 | LM237KCSE3.pdf | |
![]() | LMM1F,LMM2F | LMM1F,LMM2F ORIGINAL SMD or Through Hole | LMM1F,LMM2F.pdf | |
![]() | IELBXK1-1REC5-59-6 | IELBXK1-1REC5-59-6 AIRPAX SMD or Through Hole | IELBXK1-1REC5-59-6.pdf | |
![]() | RN55D4221F | RN55D4221F DALE SMD or Through Hole | RN55D4221F.pdf | |
![]() | SCW-SC3-22R0-J | SCW-SC3-22R0-J ORIGINAL SMD or Through Hole | SCW-SC3-22R0-J.pdf | |
![]() | S1DBA04F00A1 | S1DBA04F00A1 ORIGINAL QFP | S1DBA04F00A1.pdf |