창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDP025N06 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDP025N06 TO220B03 Pkg Drawing | |
PCN 설계/사양 | SOA curve 01/Jul/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Additional MFG Site 3/Dec/2015 | |
PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1602 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 226nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14885pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 395W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDP025N06 | |
관련 링크 | FDP02, FDP025N06 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | 405I35B48M00000 | 48MHz ±30ppm 수정 13pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 405I35B48M00000.pdf | |
![]() | 1N5420 | DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF | 1N5420.pdf | |
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![]() | TC180GT9AF-0006 | TC180GT9AF-0006 TOSHIBA QFP | TC180GT9AF-0006.pdf | |
![]() | LM306BH | LM306BH NS CAN | LM306BH.pdf | |
![]() | 6FA150MA | 6FA150MA NIPPON DIP | 6FA150MA.pdf | |
![]() | HD6473834F | HD6473834F HIT QFP-100 | HD6473834F.pdf | |
![]() | RG82865G-SL743 | RG82865G-SL743 INTEL FCBGA-932P | RG82865G-SL743.pdf | |
![]() | MC621 | MC621 ORIGINAL SMD or Through Hole | MC621.pdf | |
![]() | 0805Y103Z500NT | 0805Y103Z500NT GC 0805-103Z50V | 0805Y103Z500NT.pdf | |
![]() | VLF5010AT-150MR62 | VLF5010AT-150MR62 TDK SMD or Through Hole | VLF5010AT-150MR62.pdf | |
![]() | NCP5359DR2G. | NCP5359DR2G. ON SOP8 | NCP5359DR2G..pdf |