창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS9411_F085 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS9411_F085 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.8m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 68.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS9411_F085TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS9411_F085 | |
| 관련 링크 | FDMS941, FDMS9411_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RG3216P-2700-B-T1 | RES SMD 270 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-2700-B-T1.pdf | |
![]() | RMCP2010FT4R42 | RES SMD 4.42 OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT4R42.pdf | |
![]() | ERJ-S1TF1200U | RES SMD 120 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF1200U.pdf | |
![]() | PHP00805E80R6BBT1 | RES SMD 80.6 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E80R6BBT1.pdf | |
![]() | CRCW0402107KFKTD | RES SMD 107K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402107KFKTD.pdf | |
![]() | CRCW120686R6FKEAHP | RES SMD 86.6 OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW120686R6FKEAHP.pdf | |
![]() | HWY0120260PC | HWY0120260PC ORIGINAL SMD or Through Hole | HWY0120260PC.pdf | |
![]() | VJ0402Y103KACW1BC | VJ0402Y103KACW1BC VISHAY SMD or Through Hole | VJ0402Y103KACW1BC.pdf | |
![]() | HS-OR860S | HS-OR860S ORIGINAL SMD or Through Hole | HS-OR860S.pdf | |
![]() | NB12MC0681MBA | NB12MC0681MBA AVX SMD | NB12MC0681MBA.pdf | |
![]() | AM2916APC | AM2916APC AMD DIP | AM2916APC.pdf | |
![]() | K4D553235F-GC2AT00 | K4D553235F-GC2AT00 Samsung SMD or Through Hole | K4D553235F-GC2AT00.pdf |