창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS86580_F085 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS86580_F085 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.6m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1430pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS86580_F085TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS86580_F085 | |
관련 링크 | FDMS8658, FDMS86580_F085 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | LDEPD2100JA5N00 | 10000pF Film Capacitor 200V 630V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 2220 (5750 Metric) 0.236" L x 0.197" W (6.00mm x 5.00mm) | LDEPD2100JA5N00.pdf | |
![]() | RT0402FRD072K61L | RES SMD 2.61K OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRD072K61L.pdf | |
![]() | TMCUC1E685 | TMCUC1E685 HITACHI SMD | TMCUC1E685.pdf | |
![]() | IDT71V3576S133PFGI | IDT71V3576S133PFGI ORIGINAL A | IDT71V3576S133PFGI.pdf | |
![]() | 0603-1M5 | 0603-1M5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-1M5.pdf | |
![]() | STU6018 | STU6018 EIC SMB | STU6018.pdf | |
![]() | MAX1989MUET | MAX1989MUET MAXIM SMD or Through Hole | MAX1989MUET.pdf | |
![]() | DS36C279M/TM | DS36C279M/TM NSC SO-8 | DS36C279M/TM.pdf | |
![]() | DS12115 | DS12115 DS SOP | DS12115.pdf | |
![]() | FH5118-CN-RE | FH5118-CN-RE FENGHUA SOT89-3 | FH5118-CN-RE.pdf | |
![]() | PCA82C250T/N4_NXP | PCA82C250T/N4_NXP NXP SMD or Through Hole | PCA82C250T/N4_NXP.pdf |