창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS86320 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS86320 | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 29/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.5A(Ta), 22A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.7m옴 @ 10.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2640pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS86320-ND FDMS86320TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS86320 | |
| 관련 링크 | FDMS8, FDMS86320 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-2RKF31R6X | RES SMD 31.6 OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-2RKF31R6X.pdf | |
![]() | 1617F24LK | 1617F24LK ORIGINAL QFP | 1617F24LK.pdf | |
![]() | DS13012 | DS13012 DALLAS TSSOP | DS13012.pdf | |
![]() | QH-1011 | QH-1011 ORIGINAL SMD or Through Hole | QH-1011.pdf | |
![]() | CF453215-R56K | CF453215-R56K BOURNS SMD or Through Hole | CF453215-R56K.pdf | |
![]() | P1102SB | P1102SB Littelfuse SMD | P1102SB.pdf | |
![]() | NNCD6.8PJT1 | NNCD6.8PJT1 NEC SMD or Through Hole | NNCD6.8PJT1.pdf | |
![]() | ERJ6ENF1373V | ERJ6ENF1373V ORIGINAL SMD | ERJ6ENF1373V.pdf | |
![]() | CE1F3P-T | CE1F3P-T NEC SP-8 | CE1F3P-T.pdf | |
![]() | LM22676TJE-ADJ/NOP | LM22676TJE-ADJ/NOP NS TO263-7 | LM22676TJE-ADJ/NOP.pdf | |
![]() | M29F102BB35N1T | M29F102BB35N1T ST TSOP-40 | M29F102BB35N1T.pdf | |
![]() | CNZ1109/ON1109 | CNZ1109/ON1109 PANASONIC SMD or Through Hole | CNZ1109/ON1109.pdf |