창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS86310 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS86310 | |
주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 29/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta), 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 17A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6290pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS86310-ND FDMS86310TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS86310 | |
관련 링크 | FDMS8, FDMS86310 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
MA-505 36.0000M-C0 | 36MHz ±50ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-505 36.0000M-C0.pdf | ||
CMF5090R000DHEA | RES 90 OHM 1/4W 0.5% AXIAL | CMF5090R000DHEA.pdf | ||
SF4B-A32(V2) | LIGHT CURTAIN ARM/FOOT 1270MM | SF4B-A32(V2).pdf | ||
310000430185 | HERMETIC THERMOSTAT | 310000430185.pdf | ||
600F8R2JTDRN | 600F8R2JTDRN ATC SMD or Through Hole | 600F8R2JTDRN.pdf | ||
NV250-SEW。 4P,125-225A | NV250-SEW。 4P,125-225A MITSUBISHI SMD or Through Hole | NV250-SEW。 4P,125-225A.pdf | ||
SG310T | SG310T MSC CAN8 | SG310T.pdf | ||
RC1/2-472J | RC1/2-472J KAMAYAOHM RESISTORS-4.7K5 | RC1/2-472J.pdf | ||
83977 | 83977 WINBOND QFP | 83977.pdf | ||
MF71-5D-11 | MF71-5D-11 ORIGINAL SMD or Through Hole | MF71-5D-11.pdf | ||
ESB30B132 | ESB30B132 PANASONIC SMD or Through Hole | ESB30B132.pdf | ||
ERF2AKR22P | ERF2AKR22P pan SMD or Through Hole | ERF2AKR22P.pdf |