창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS86310 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS86310 | |
주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 29/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta), 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 17A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6290pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS86310-ND FDMS86310TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS86310 | |
관련 링크 | FDMS8, FDMS86310 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | AQ12EM5R1BAJME\500 | 5.1pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM5R1BAJME\500.pdf | |
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![]() | DF37NB-74DS-0.4V(51) | DF37NB-74DS-0.4V(51) Hirose SMD or Through Hole | DF37NB-74DS-0.4V(51).pdf | |
![]() | EFCH1842TCAD | EFCH1842TCAD ORIGINAL SMD | EFCH1842TCAD.pdf | |
![]() | BU3749F | BU3749F ORIGINAL SOP | BU3749F.pdf | |
![]() | AP-15S | AP-15S KEYENCE SMD or Through Hole | AP-15S.pdf | |
![]() | FDX8398 | FDX8398 S SMD or Through Hole | FDX8398.pdf | |
![]() | D2SW-P2M | D2SW-P2M OMRON DIPSMD | D2SW-P2M.pdf | |
![]() | NTL04B2N0TRF | NTL04B2N0TRF NICC SMT | NTL04B2N0TRF.pdf | |
![]() | TSM881AW-V | TSM881AW-V SANYO SMD | TSM881AW-V.pdf |