창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS86200 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS86200 | |
주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.6A(Ta), 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 9.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2715pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS86200TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS86200 | |
관련 링크 | FDMS8, FDMS86200 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
UPW1J221MPD6TD | 220µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPW1J221MPD6TD.pdf | ||
S0603-221NF1E | 220nH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 1.7 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-221NF1E.pdf | ||
CMF5531K600FKEA | RES 31.6K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5531K600FKEA.pdf | ||
Y5177 | Y5177 NEC SMD or Through Hole | Y5177.pdf | ||
MY3-02-AP 48VDC | MY3-02-AP 48VDC OMRON SMD or Through Hole | MY3-02-AP 48VDC.pdf | ||
S71PL256NC0HFW5B0- | S71PL256NC0HFW5B0- SPANSION SMD or Through Hole | S71PL256NC0HFW5B0-.pdf | ||
SPCP8500A-HR061 | SPCP8500A-HR061 UNKNOWN PDIP-22ROHS | SPCP8500A-HR061.pdf | ||
pra100i2-50kbwn | pra100i2-50kbwn vishay SMD or Through Hole | pra100i2-50kbwn.pdf | ||
SI4108DY | SI4108DY VISHAY SOP-8 | SI4108DY.pdf | ||
k18n50 | k18n50 ORIGINAL T0220 | k18n50.pdf | ||
SDD100N16 | SDD100N16 Sirectifier Modules | SDD100N16.pdf | ||
F271K25S3NP63K7R | F271K25S3NP63K7R Vishay SMD or Through Hole | F271K25S3NP63K7R.pdf |