창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-FDMS86150 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | FDMS86150 | |
주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | PowerTrench® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta), 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.85m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4065pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | Power56 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | FDMS86150TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | FDMS86150 | |
관련 링크 | FDMS8, FDMS86150 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
MAL215035472E3 | 4700µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | MAL215035472E3.pdf | ||
T491C107K010AT | 100µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2413 (6032 Metric) 1.2 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T491C107K010AT.pdf | ||
3KASMC13AHE3_A/I | TVS DIODE 13VWM 21.5VC DO214AB | 3KASMC13AHE3_A/I.pdf | ||
AQ2A1-C2-T12VDC | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 4-SIP | AQ2A1-C2-T12VDC.pdf | ||
RG1005V-122-W-T1 | RES SMD 1.2KOHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005V-122-W-T1.pdf | ||
45F200E | RES 200 OHM 5W 1% AXIAL | 45F200E.pdf | ||
MCH155A471JK | MCH155A471JK ROHM SMD or Through Hole | MCH155A471JK.pdf | ||
SE1A336M05005 | SE1A336M05005 SAMWH DIP | SE1A336M05005.pdf | ||
NEC16805 | NEC16805 NEC SOP | NEC16805.pdf | ||
EE92251S3-0000-A99 | EE92251S3-0000-A99 SUNON SMD or Through Hole | EE92251S3-0000-A99.pdf | ||
SIMB8364M-043 | SIMB8364M-043 ORIGINAL SMD or Through Hole | SIMB8364M-043.pdf | ||
BZX/BZV55C12 | BZX/BZV55C12 MICPFS DO-35 | BZX/BZV55C12.pdf |