창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS86101DC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS86101DC | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | Dual Cool™, PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.5A(Ta), 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 14.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3135pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS86101DC-ND FDMS86101DCTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS86101DC | |
| 관련 링크 | FDMS86, FDMS86101DC 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | H488R7BCA | RES 88.7 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H488R7BCA.pdf | |
![]() | ENT1J-D28-L00128L | ENCODER OPT ROTARY 128PPR | ENT1J-D28-L00128L.pdf | |
![]() | TLE52266G | TLE52266G infineon SOP-20 | TLE52266G.pdf | |
![]() | C2551-Y | C2551-Y ORIGINAL TO-92L | C2551-Y.pdf | |
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![]() | BOUT.GRFONC.80-57000-07*** | BOUT.GRFONC.80-57000-07*** EAOSECME SMD or Through Hole | BOUT.GRFONC.80-57000-07***.pdf | |
![]() | MXD1818UR31-T | MXD1818UR31-T MAXIM SOT-23 | MXD1818UR31-T.pdf | |
![]() | S24M | S24M ORIGINAL MSOP8 | S24M.pdf | |
![]() | 6187-2312 | 6187-2312 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6187-2312.pdf | |
![]() | SMJA18-01 | SMJA18-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | SMJA18-01.pdf |