Fairchild Semiconductor FDMS8560S
- 제조업체 부품 번호
- FDMS8560S
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
FDMS8560S 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 934.05312
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 FDMS8560S 재고가 있습니다. 우리는 Fairchild Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Fairchild Semiconductor 전자 부품 전문. FDMS8560S 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. FDMS8560S가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- FDMS8560S 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
FDMS8560S 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS8560S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS8560S | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench®, SyncFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta), 70A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4350pF @ 13V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS8560S-ND FDMS8560STR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS8560S | |
| 관련 링크 | FDMS8, FDMS8560S 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
FDMS8560S 의 관련 제품
 | B43770A9138M3 | 1300µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 44 mOhm @ 100Hz 8000 Hrs @ 105°C | B43770A9138M3.pdf | |
-2.50-mm-x-2.00-mm.jpg) | DSC1001DI4-066.5800T | 66.58MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001DI4-066.5800T.pdf | |
.jpg) | MLF1608DR27KTA00 | 270nH Shielded Multilayer Inductor 150mA 600 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | MLF1608DR27KTA00.pdf | |
 | ISC1210EBR68K | 680nH Shielded Wirewound Inductor 450mA 480 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | ISC1210EBR68K.pdf | |
| 1812 1.6R F | 1812 1.6R F TASUND SMD or Through Hole | 1812 1.6R F.pdf | |
| SP6200EM5-L-2-85 | SP6200EM5-L-2-85 SIP Call | SP6200EM5-L-2-85.pdf | |
| ERJ12YJ131U | ERJ12YJ131U PANASONIC SMD | ERJ12YJ131U.pdf | |
| ACB2012M600-T | ACB2012M600-T ORIGINAL SMD or Through Hole | ACB2012M600-T.pdf | |
| S80854CNNB-B9F-T2 | S80854CNNB-B9F-T2 SII SOT343 | S80854CNNB-B9F-T2.pdf | |
| ALSR01600ROFE12 | ALSR01600ROFE12 ORIGINAL SMD or Through Hole | ALSR01600ROFE12.pdf | |
| MGA-86576-STR | MGA-86576-STR AVAGO XX | MGA-86576-STR.pdf | |
| RVJ-16V101MG68U-R | RVJ-16V101MG68U-R ELNASMDCONDENSAT SMD or Through Hole | RVJ-16V101MG68U-R.pdf |