창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS8560S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS8560S | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench®, SyncFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Ta), 70A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.8m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4350pF @ 13V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS8560S-ND FDMS8560STR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS8560S | |
| 관련 링크 | FDMS8, FDMS8560S 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CSTLS10M0G53-A0 | 10MHz Ceramic Resonator Built in Capacitor 15pF ±0.2% 25 Ohm -20°C ~ 80°C Through Hole | CSTLS10M0G53-A0.pdf | |
![]() | PE-0805CD221JTT | 217nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 700 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | PE-0805CD221JTT.pdf | |
![]() | CRCW12186R65FKEK | RES SMD 6.65 OHM 1% 1W 1218 | CRCW12186R65FKEK.pdf | |
![]() | CRCW06038K20DHEAP | RES SMD 8.2K OHM 0.5% 1/10W 0603 | CRCW06038K20DHEAP.pdf | |
![]() | IXFH32N50 | IXFH32N50 INF/A TO-3P | IXFH32N50 .pdf | |
![]() | 3308LT/R | 3308LT/R UTC TSSOP8 | 3308LT/R.pdf | |
![]() | MB606665PF-G-BND | MB606665PF-G-BND FUJ QFP1414 | MB606665PF-G-BND.pdf | |
![]() | PSMA5928B | PSMA5928B PHILIPS SOD-106 | PSMA5928B.pdf | |
![]() | STC9435M | STC9435M EPSON SOP24 | STC9435M.pdf | |
![]() | SNC5403AJ | SNC5403AJ TI CDIP | SNC5403AJ.pdf | |
![]() | RN55C22R1F | RN55C22R1F DALE SMD or Through Hole | RN55C22R1F.pdf |