창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS8025S | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS8025S | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing Mid- and Low-Voltage MOSFETs | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench®, SyncFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta), 49A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 24A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS8025STR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS8025S | |
| 관련 링크 | FDMS8, FDMS8025S 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AAF1.53T | AAF1.53T BGA TI | AAF1.53T.pdf | |
![]() | HT12C2T4 | HT12C2T4 HOLTEK 20SSOP | HT12C2T4.pdf | |
![]() | 53475-1609 | 53475-1609 Molex NA | 53475-1609.pdf | |
![]() | 9028GE | 9028GE ORIGINAL QFN | 9028GE.pdf | |
![]() | ET12U310A | ET12U310A EVOLUTION LQFP80 | ET12U310A.pdf | |
![]() | GSS4816S | GSS4816S GTM SOP-8 | GSS4816S.pdf | |
![]() | NE85639R-27R | NE85639R-27R NEC SMD or Through Hole | NE85639R-27R.pdf | |
![]() | ADM4857ARZ | ADM4857ARZ ORIGINAL 8-SOIC | ADM4857ARZ .pdf | |
![]() | LBCW65ALT1G | LBCW65ALT1G LRC SOT-23 | LBCW65ALT1G.pdf | |
![]() | D424100V80 | D424100V80 NEC ZIP | D424100V80.pdf | |
![]() | L-835/2IDT | L-835/2IDT KIBGBRIGHT ROHS | L-835/2IDT.pdf |