창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-FDMS8020 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | FDMS8020 | |
| 주요제품 | Cloud Systems Computing | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | PowerTrench® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Ta), 42A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 26A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 61nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PQFN(5x6), Power56 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | FDMS8020-ND FDMS8020TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | FDMS8020 | |
| 관련 링크 | FDMS, FDMS8020 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AQ14EA102FAJME\M500 | 1000pF 150V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ14EA102FAJME\M500.pdf | |
![]() | AUIRFZ44ZS | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | AUIRFZ44ZS.pdf | |
![]() | NE5900 | NE5900 PHI SOP | NE5900.pdf | |
![]() | EX039J | EX039J KSS DIP8 | EX039J.pdf | |
![]() | TD12-0756G | TD12-0756G HALO SOPDIP | TD12-0756G.pdf | |
![]() | CS5381KZZ | CS5381KZZ CIRRUS SMD or Through Hole | CS5381KZZ.pdf | |
![]() | NAG141P-B | NAG141P-B STANLEY SMD or Through Hole | NAG141P-B.pdf | |
![]() | S18CG8B0 | S18CG8B0 IR TO-94 | S18CG8B0.pdf | |
![]() | 2 SC3518 | 2 SC3518 NEC TO-252 | 2 SC3518.pdf | |
![]() | SRE-2401ST | SRE-2401ST SMD/DIP MITSUMI | SRE-2401ST.pdf | |
![]() | SN74AHCT16374DLR | SN74AHCT16374DLR TI SMD or Through Hole | SN74AHCT16374DLR.pdf | |
![]() | MA-306-27.0000M-C3 | MA-306-27.0000M-C3 EpsonT SMD or Through Hole | MA-306-27.0000M-C3.pdf |